高濕度實(shí)際上減小了無(wú)塵車間、潔凈室表面的靜電荷積累，較低的濕度比較適合電荷的積累并成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。
　　當(dāng)相對(duì)濕度超過(guò)50%時(shí)，靜電荷開始迅速消散，但是當(dāng)相對(duì)濕度小于30%時(shí)，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續(xù)存在很長(zhǎng)一段時(shí)間。
　　相對(duì)濕度在35%到40%之間可以作為一個(gè)令人滿意的折中，半導(dǎo)體無(wú)塵車間、潔凈室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。
　　到目前為止，在半導(dǎo)體無(wú)塵車間、潔凈室中最迫切需要適當(dāng)控制的是光刻膠的敏感性。由于光刻膠對(duì)相對(duì)濕度極為敏感的特性，它對(duì)相對(duì)濕度的控制范圍的要求是最嚴(yán)格的水準(zhǔn)。
　　實(shí)際上，相對(duì)濕度和溫度對(duì)于光刻膠穩(wěn)定性以及精確的尺寸控制都是很關(guān)鍵的。甚至是在恒溫條件下，光刻膠的粘性將隨著相對(duì)濕度的上升而迅速下降。當(dāng)然，改變粘性，就會(huì)改變由固定組分涂層形成的保護(hù)膜的厚度。參考兩個(gè)城市，一個(gè)試驗(yàn)證實(shí)，相對(duì)濕度的3%的變異將使保護(hù)厚度改變59.2A。
　　此外，在高的相對(duì)濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對(duì)濕度的負(fù)面影響;較低的相對(duì)濕度(約30%)使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑，如六甲基二硅氮烷(HMDS)。
　　標(biāo)簽：貼合無(wú)塵車間